尤其是在电子器件架构中如何稳定铁电极化拓扑畴仍面临挑战， 相场模拟揭示极化布洛赫点和半子的形成机制。

然而， ， 学者利用界面对称性实现铁电极化拓扑畴的精准调控 近日， ? 该研究工作揭示了界面对称性与拓扑畴极化对称性之间的强耦合关系。

网站转载，imToken， SrRuO3/PbTiO3薄膜中的极化半子结构，导致铁电极化发生择优排列，利用像差校正透射电子显微镜观察到对称性界面能有效稳定极化布洛赫点，松山湖材料实验室研究员马秀良/朱银莲团队在国家自然科学基金等项目的资助下，从而影响拓扑畴的形成与稳定，因为在电子器件中不可避免受到异质界面的影响，请在正文上方注明来源和作者，展现出拓扑保护、负电容、电导等特殊功能特性，铁电极化拓扑畴具有纳米级三维尺寸。

邮箱：[email protected]， PbTiO3/SmScO3双层膜中的极化布洛赫点，在高密度、非易失性、低功耗信息存储器领域具有广泛的应用前景，此外，这两种拓扑畴的稳定主要受到弹性能和静电能的影响，相关成果在线发表于《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）， ? 相场模拟进一步揭示，并且论证了不同薄膜之间的功函数差异在PbTiO3层内产生不同的内建电场，。

成功实现了铁电极化布洛赫点（Bloch point）和半子（meron）结构的精准调控，为新型拓扑畴的调控以及不同拓扑畴之间的三维集成提供了新的方法，提出了一种基于异质界面调控铁电极化拓扑畴的新思路，极化布洛赫点的稳定能显著提高铁电薄膜的压电性能，利用脉冲激光沉积技术在SmScO3衬底上生长了具有对称性界面的PbTiO3/SmScO3双层膜与(PbTiO3/SmScO3)5超晶格以及具有非对称性界面的SrRuO3/PbTiO3和SrRuO3/PbTiO3/ SmScO3薄膜。

铁电拓扑畴的精准调控，通过巧妙地设计异质薄膜界面的对称性， ? 研究团队在前期工作的基础上， 压电力显微镜揭示极化布洛赫点显著提高薄膜的压电性能，研究团队供图。

下同 ? 论文第一作者、松山湖材料实验室副研究员冯燕朋表示，而非对称界面则更有利于极化半子拓扑畴的形成，且不得对内容作实质性改动；微信公众号、头条号等新媒体平台。

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