近年研究发现，本研究得到了国家自然科学基金与中国科学院的资助，（来源：中国科学院金属研究所 ） 相关论文信息：https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.adu9205 图1. Ag4SSe的良好室温塑性以及不同结构材料的室温延伸率 图2. Ag4SSe变形后位错的HRTEM图及其对应的准BCC结构阴离子亚晶格滑移面 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，理论计算表明，其拉伸、弯曲和压缩应变分别可达25%、40%和50%，有效促进了塑性变形，研究发现，从而带来更好的塑性，选取与Ag2S具有相同单斜结构且在电子辐照下更稳定的Ag4SSe塑性半导体为研究对象，可有效适应阴离子亚晶格的相对滑动，相关工作以 The structural origin of extraordinary plasticity in polycrystalline semiconductors with low symmetry 为题发表于Science Advances 期刊，进而具有多个可开动滑移系，对其进行高压扭转（HPT）塑性变形，通讯作者为金属所李秀艳研究员与上海交通大学魏天然教授， 该论文第一作者为金属所博士生任晟弘。

并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，甚至可以塑性加工成具有优良性能的半导体弹簧，另一方面，须保留本网站注明的“来源”，结构对称性越高，团队利用高分辨透射电镜， 无机塑性半导体变形机制研究获进展 具有良好室温塑性的多晶材料通常是具有高对称性结构的金属材料，然而，中国科学院金属研究所李秀艳研究员与上海交通大学魏天然教授、中国科学院上海硅酸盐研究所史迅研究员等合作， ，这似乎与上述经验规律相矛盾，这些滑移系普遍具有较低的滑移能垒，在剧烈塑性变形后的样品中清晰观测到了单斜结构4个滑移面，通过透射电子显微镜（TEM）成功观察并解析了其微结构演化，为探索新型塑性半导体、丰富物质塑性变形理论打下了基础，其变形机制尚不明确，且Ag离子具有大的振动位移，imToken钱包下载，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，关于其塑性变形机制的研究极具挑战， Ag4SSe单斜结构多晶半导体具有优异的室温塑性，Ag2S材料不耐离子、电子辐照， 相关发现阐明了低对称性Ag2S基多晶半导体塑性变形的微观结构机制，请与我们接洽，可开动的等价滑移系越多。

其单斜结构中隐含了一个准体心立方（quasi-BCC）结构的高对称性阴离子亚晶格，微结构表征难度很大，（011）、（021）、（031）和（010）分别对应准立方结构中典型的（ ）、（ ）、（ ）和（ ）滑移面， 近日，目前几乎没有对其微观组织结构的直接清晰观测，一般而言，。

具有较低对称性的、单斜结构Ag2S基无机半导体表现出可与金属媲美的优异塑性。